المرجع الألكتروني للمعلوماتية
القرآن الكريم وعلومه
العقائد الإسلامية
الفقه وأصوله 
الرجال والحديث 
سيرة الرسول وآله 
علوم اللغة العربية 
الأدب العربي 
الأسرة والمجتمع 
الأخلاق والأدعية 
التاريخ 
الادارة والاقتصاد 
علم الفيزياء 
علم الكيمياء 
علم الأحياء 
الرياضيات 
الهندسة المدنية 
الزراعة 
الجغرافية 
القانون 
اللغة الأنكليزية 
الأخبار 
الإعلام 
مكتبة الصور 
أقلام بمختلف الألوان 
إضاءات
مفتاح
أجوبة الإستفتاءات الشرعية
وثائقيات
الفيزياء الكلاسيكية
الكهربائية والمغناطيسية
علم البصريات
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
الفيزياء النووية
فيزياء الحالة الصلبة
الليزر
علم الفلك
المجموعة الشمسية
الطاقة البديلة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء| إستخدام ترانزستور الأثر المجالي كمقاومة متغيرة |
 1414
 02:01 صباحاً
التاريخ: 26-9-2021 |
المؤلف : د/محمد فاروق أحمد و د/محمد خضر كاتب 
الكتاب أو المصدر : أسس الإلكترونيات 
الجزء والصفحة : 212|
أقرأ أيضاً
التاريخ: 2023-08-19
899
التاريخ: 2023-08-15
1141
التاريخ: 24-4-2021
1693
التاريخ: 18-4-2021
2058
|
إستخدام ترانزستور الأثر المجالي كمقاومة متغيرة
يستخدم ترانزستور الأثر المجالي في دارات التكبير في المنطقة الخطية من المميزة الإستاتيكية أي عند جهد المصب — منبع الذي يحقق تشبع التيار. ولكن تستخدم ترانزستورات الأثر المجالي في منطقة ما قبل التشبع أي عند القيم الصغيرة للجهد VDS -كمقاومة متغيرة . ويتم التحكم في قيمة المقاومة بتغير جهد البوابة - منبع VGS. وفي هذه الحالة يعرف الترانزستور باسم المقاومة المتغيرة للجهد Voltage-variable resistor VVR. ويبين شكل (1) كيفية إعتماد التيار IDS على الجهد VDS لقيم مختلفة لجهد البوابة VGS وذلك قبل حدوث التشبع. ويتضح من هذا الشكل أنه يمكن تغيير المقاومة rd في حدود واسعة عن طريق تغييرجهد البوابة-منبع. ولسهولة إيجاد قيمة المقاومة rd كدالة من الجهد VGS يمكن إستخدام علاقة تجريبية هي
(1)
حيث ro هي المقاومة الديناميكية للمصب عندما يكون K . VGS = 0 معامل يعتمد على نوع الترانزستور.
الشكل (1)
|
|
|
|
علامات بسيطة في جسدك قد تنذر بمرض "قاتل"
|
|
|
|
|
|
|
أول صور ثلاثية الأبعاد للغدة الزعترية البشرية
|
|
|
|
|
|
|
مدرسة دار العلم.. صرح علميّ متميز في كربلاء لنشر علوم أهل البيت (عليهم السلام)
|
|
|
