تاريخ الفيزياء
علماء الفيزياء
الفيزياء الكلاسيكية
الميكانيك
الديناميكا الحرارية
الكهربائية والمغناطيسية
الكهربائية
المغناطيسية
الكهرومغناطيسية
علم البصريات
تاريخ علم البصريات
الضوء
مواضيع عامة في علم البصريات
الصوت
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
النظرية النسبية الخاصة
النظرية النسبية العامة
مواضيع عامة في النظرية النسبية
ميكانيكا الكم
الفيزياء الذرية
الفيزياء الجزيئية
الفيزياء النووية
مواضيع عامة في الفيزياء النووية
النشاط الاشعاعي
فيزياء الحالة الصلبة
الموصلات
أشباه الموصلات
العوازل
مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة
فيزياء الجوامد
الليزر
أنواع الليزر
بعض تطبيقات الليزر
مواضيع عامة في الليزر
علم الفلك
تاريخ وعلماء علم الفلك
الثقوب السوداء
المجموعة الشمسية
الشمس
كوكب عطارد
كوكب الزهرة
كوكب الأرض
كوكب المريخ
كوكب المشتري
كوكب زحل
كوكب أورانوس
كوكب نبتون
كوكب بلوتو
القمر
كواكب ومواضيع اخرى
مواضيع عامة في علم الفلك
النجوم
البلازما
الألكترونيات
خواص المادة
الطاقة البديلة
الطاقة الشمسية
مواضيع عامة في الطاقة البديلة
المد والجزر
فيزياء الجسيمات
الفيزياء والعلوم الأخرى
الفيزياء الكيميائية
الفيزياء الرياضية
الفيزياء الحيوية
الفيزياء العامة
مواضيع عامة في الفيزياء
تجارب فيزيائية
مصطلحات وتعاريف فيزيائية
وحدات القياس الفيزيائية
طرائف الفيزياء
مواضيع اخرى
Group III-V Semiconductors
المؤلف:
Donald A. Neamen
المصدر:
Semiconductor Physics and Devices
الجزء والصفحة:
p 119
18-5-2017
1713
Group III-V Semiconductors
In the previous sections, we have been discussing the donor and acceptor impurities in a group IV semiconductor, such as silicon. The situation in the group Ill-V
Table 1.1 Impurity ionuatian energles in galhumar senlde.
compound semiconductors, such as gallium arsenide, is more complicated. Group II elements, such as beryllium, zinc, and cadmium, can enter the lattice as substitutional impurities, replacing the group I11 gallium element to become acceptor impurities. Similarly, group VI elements, such as selenium and tellurium, can enter the lattice substitutionally, replacing the group V arsenic element to become donor impurities.
The corresponding ionization energies for these impurities are smaller than for the impurities in silicon. The ionization energies for the donors in gallium arsenide are also smaller than the ionization energies for the acceptors, because of the smaller effective mass of the electron compared to that of the hole.
Group IV elements, such as silicon and germanium, can also be impurity atoms in gallium arsenide. If a silicon atom replaces a gallium atom, the silicon impurity will act as a donor. but if the silicon atom replaces an arsenic atom. then the silicon impurity will act as an acceptor. The same is true for germanium as an impurity atom. Such impurities are called amphoteric. Experimentally in gallium arsenide, it is found that germanium is predominantly an acceptor and silicon is predominantly a donor. Table 1.1 lists the ionization energies for the various impurity atoms in gallium arsenide.
الاكثر قراءة في أشباه الموصلات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة

الآخبار الصحية
