المرجع الألكتروني للمعلوماتية
القرآن الكريم وعلومه
العقائد الإسلامية
الفقه وأصوله 
الرجال والحديث 
سيرة الرسول وآله 
علوم اللغة العربية 
الأدب العربي 
الأسرة والمجتمع 
الأخلاق والأدعية 
التاريخ 
الادارة والاقتصاد 
علم الفيزياء 
علم الكيمياء 
علم الأحياء 
الرياضيات 
الهندسة المدنية 
الزراعة 
الجغرافية 
القانون 
اللغة الأنكليزية 
الأخبار 
الإعلام 
مكتبة الصور 
أقلام بمختلف الألوان 
إضاءات
مفتاح
أجوبة الإستفتاءات الشرعية
وثائقيات
الفيزياء الكلاسيكية
الكهربائية والمغناطيسية
علم البصريات
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
الفيزياء النووية
فيزياء الحالة الصلبة
الليزر
علم الفلك
المجموعة الشمسية
الطاقة البديلة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء| عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون |
 1600
 12:55 صباحاً
التاريخ: 13-10-2021 |
المؤلف : الدكتور صبحي سعيد الراوي 
الكتاب أو المصدر : فيزياء الألكترونات 
الجزء والصفحة : 625|
أقرأ أيضاً
التاريخ: 2023-08-16
1223
التاريخ: 1-9-2021
1853
التاريخ: 4-10-2021
2160
التاريخ: 2-5-2021
1604
|
عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون
يتم في هذه الطريقة احاطة كل منطقة N بطقة من ثاني وكسيد السيلكون. تكون طبقة الاساس في هذه الحالة غير مطعمة او بعبارة اخرى انها من شبه موصل نقي - انظر الشكل (1)
الشكل (1): عزل ثاني أوكسيد السيلكون
من الواضح ان هذه الطريقة في العزل تفوق الطريقة الاولى وتمتازعليها .فالعزل هنا فضل. لأن ثاني اوكسيد السيلكون يكون اكثرعزلا من وصلة ال PN المنحازة عكسيا . كذلك فان المتسعة بين منطقة N وطبقة الاساس سوف تختفي – لاختفاء الاخيرة - وبذلك يتحسن عمل الدائرة في الترد دات العالية .
وعلى الرغم من المميزات اعلاه فان هذه الطريقة تتطلب زيادة في خطوات التصنيع مما يعني زيادة في الكلفة ذلك ان الكلفة الرخيصة هي حجر الزاوية في صناعة الدوائر المتكاملة
|
|
|
|
مخاطر عدم علاج ارتفاع ضغط الدم
|
|
|
|
|
|
|
اختراق جديد في علاج سرطان البروستات العدواني
|
|
|
|
|
|
|
نشر مظاهر الفرح في مرقد أبي الفضل العباس بذكرى ولادة السيدة زينب (عليهما السلام)
|
|
|
