الثنائي البلوري المتكامل Integrated crystal diode

يبين الشكل (1) الخطوات المتبعة في عملية تصنيع الثنائي بصيغة الدائرة المتكاملة على البلورة الاحادية. بعد ان يطلى سطح الاوكسيد للرقاقة بغشاء رقيق من مادة المضادات الضوئية يعرض لضوء الاشعة فوق البنفسجية من خلال الاقنعة الضوئية ويبين الشكل ( 1 أ ) بأن المضاد الضوئى والقناع استعملا وان جزءاً من كلجانب من طبقة الاوكسيد قد حفر بالحامض .

من الجدير بالذكر ان هناك نوعين من المضادات الضوئية الموجبة والسالبة في النوع الموجب يكون جزء السطح المعرض لضوء الاشعة فوق البنفسجية قابلا للحفر etching اما الجزء الذي لايتعرض للضوء فانه لايذوب بالحامض الهيدروفلوريك وبذلك يبقى هذا الجزء معزولا بوساطة الاوكسيد. اما باستعمال المضادات الضوئية السالبة فان الاجزاء

بعد ذلك توضع الرقاقة في فرن وتعرض الى ذرات قابلة ( ثلاثية التكافؤ) فتنتشرهذه الذرات في الاجزاء المحفورة دون الاجزاء التي لاتزال مغطاة بطقة الاوكسيد. وتحولها من نوع سالب الى نوع موجب-الشكل (٨ب)- وبذلك نكون قد حصلنا على جزيرة لمادة من نوع سالب n-type تحت طبقة اوكسيد السيلكون فقط.

بعد ذلك يمرر اوكسجين نقي فوق الرقاقة ( wafar ) وذلك لتغطية الاجزاء المحفورة مرة أخرى بأوكسيد السيلكون — الشكل (1ج )

تحفر فجوة في وسط طبقة الاوكسيد (بعد أن يطلى السطح بالمضاد الضوئي مرة أخرى ثم يعرض الى الضوء خلال قناع آخر) لكشف الطبقة الفوقية n وعادة ما يطلق على هذه الفجوة اوالفتحة بالشباك  وبذلك يكون قد تم تحديد مهبط ( cathode ) الثنائي الشكل(1 د)

بعدها تمرر من خلال الشباك - ذرات ثلاثية التكافؤ- التى تنفذ الى الطبقة الفوقية n لتكون جزيرة من نوع موجب p-type - نطرالشكل (1ه) وبهذا بتم تشكبل وصلة ال PN فوق طبقة الاساس .

يعاد نفخ الاوكسجين فوق الرقاقة ليغطي اوكسيد السيلكون جميع سطح الرقاقة . ما الخطوة الاخيرة فتكون خاصة بترسيب المعدن ( الالمنيوم ) عند المواقع المناسبة - بعد حفرها انظرالشكل (1 و) وبهذه الطريقة نكون قد حصلنا على الثنائي المتكامل الشكل (1 و).