يتم تشغيل الترانزستور IGBT عن طريق نبضة موجبة بعرض كاف وباتساع في حدود (V15) لوضع الترانزستور في حالة وصل ON ونبضة سالبة باتساع V)15- 5-) لتحويل الترانزستور إلى حالة الفصل OFF. يتم الحصول على هذه النبضات بواسطة تشغيل البوابة Gate Driver)) التي تُقاد من خلال دارة تعديل عرض النبضة (Pulse "Width Modulation" PWM) كما يمكن التحكم بنبضات التشغيل بواسطة المعالجات الدقيقة؛ مما يتيح تحكم مبرمج بتشغيل الترانزستور وإطفائه مما يجعل عملية التحكم سهلة، ويجب حماية دارة البوابة من الجهد والتيار المفرطين، فللحماية من التيار توصل مقاومة على التوالي بدارة البوابة لتحديد التيار، وللحماية من الجهد توصل ثنائيات زينر كما في الشكل (51). وتوصل دارة إخماد لحماية الترانزستور من معدل تغير الجهد.

شكل (51)

لإبقاء الجهد على البوابة ضمن جهد الزينر المستخدم ((± (VZ+VD)، وفي معظم الترانزستورات يضاف ثنائي في انحياز عكسي بين المجمع والباعث في مرحلة التصنيع، ودور هذا الثنائي يبرز في مرحلة الإطفاء، حيث يعمل على استعادة الطاقة المختزنة في الحمل الحثي (محرك) وإرجاعها إلى المصدر؛ مما يقلل القدرة المبددة. وتصنع الترانزستورات ثنائيات القطبية في دارات متكاملة تحتوي على ترانزستور واحد أو ترانزستورين أو ستة بحيث تقوم الدارة المتكاملة بعمل محدد كتلك الدارة المتكاملة المستخدمة في بناء عاكس ثلاثي الطور.

مواضيع ذات صلة

الحساسات النانوية لرصد وتعقب حرائق الغابات

التكامل بين تكنولوجيا النانو وتكنولوجيا الاستشعار من بعد لرصد تلوث الهواء الجوي

الحساسات النانوية للحالة الصلبة

الحساسات النانوية لرصد ملوثات الهواء

تكنولوجيا النانو وصناعة الحساسات

الحساسات النانوية

تقنية النانو في الطباعة على الأسطح Nano–Lithography

تقنية الطباعة على الأسطح Lithography

التنافس العالمي في إنتاج الحاسبات المعتمدة على تكنولوجيا النانو

قانون مور

تركيب الترانزستور وكيفية عمله

ماهية الترانزستورات