الشكل (1) يعرض دائرة مجس منطقي لثلاثة مستويات منطقية وهي كالآتي: الحالة المنخفضة (0) - الحالة العالية (1) - حالة غير محددة محصورة بين الحالة المنخفضة والحالة العالية
الشكل (1)
عناصر الدائرة :
1R مقاومة كربونية k10.
R2, R5 مقاومات كربونية 330Ω.
R3, R4 مقاومات كربونية Ω K 10 .
R6 مقاومة كربونية Ω k1 .
R7 مقاومة كربونية 82Ω .
D1, D2, D3 ثنائيات مشعة قياسية.
D4, D5 ثنائيات سليكونية طراز 4148 N1.
1DZ ثنائی زینر جهده 3.3 V.
T1 ترانزستور NPN طراز 107 BC.
T2 ترانزستور PNP طراز 157 BC.
IC1 دائرة متكاملة تحتوي على أربع بوابات XOR طراز 7486.
نظرية التشغيل: عند ملامسة طرف المجس المنطقي Probe لنقطة لها حالة منطقية عالية فإن الترانزستور 1T سيتحول لحالة الوصل ON، فيتصل مهبط بالارضي عبر T1 ويضيء في حين يصبح خرج البوابة XOR منخفضاً؛ لأن حالة مدخليها منخفضة، وعند ملامسة طرف المجس المنطقي Probe، لنقطة لها حالة منطقية منخفضة فإن الترانزستور T2 سيتحول لحالة الوصل ON وبالتالي يتصل مصعد الثنائي D2 بجهد موجب V 5 + فيضيء في حين أن خرج بوابة XOR يكون منخفضاً لأن حالة مدخليها مرتفعاً.
وعند ملامسة طرف المجس المنطقي لنقطة لها حالة منطقية لا هي منخفضة ولا هي عالية أي أصغر من 27 وأكبر من 0.8 في هذه الحالة فإن كلا الترانزستورين T2 , سيكونان في حالة قطع، وبالتالي يصبح خرج بوابة XOR عالياً، لأن حالة المدخل 1 تكون عالية، وحالة المدخل 2 تكون منخفضة، ويضيء الثنائي 3D. علماً بأن هذا الثنائي يضيء أيضاً عند توصيل مجس الجهاز بأحد المداخل العائمة للدوائر المتكاملة الغير موصلة بالجهد Vcc + أو بالأرضي GND أو عند ترك طرف المجس المنطقي حراً بدون توصيل.
