تاريخ الفيزياء

علماء الفيزياء

الفيزياء الكلاسيكية

الميكانيك

الديناميكا الحرارية

الكهربائية والمغناطيسية

الكهربائية

المغناطيسية

الكهرومغناطيسية

علم البصريات

تاريخ علم البصريات

الضوء

مواضيع عامة في علم البصريات

الصوت

الفيزياء الحديثة

النظرية النسبية

النظرية النسبية الخاصة

النظرية النسبية العامة

مواضيع عامة في النظرية النسبية

ميكانيكا الكم

الفيزياء الذرية

الفيزياء الجزيئية

الفيزياء النووية

مواضيع عامة في الفيزياء النووية

النشاط الاشعاعي

فيزياء الحالة الصلبة

الموصلات

أشباه الموصلات

العوازل

مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة

فيزياء الجوامد

الليزر

أنواع الليزر

بعض تطبيقات الليزر

مواضيع عامة في الليزر

علم الفلك

تاريخ وعلماء علم الفلك

الثقوب السوداء

المجموعة الشمسية

الشمس

كوكب عطارد

كوكب الزهرة

كوكب الأرض

كوكب المريخ

كوكب المشتري

كوكب زحل

كوكب أورانوس

كوكب نبتون

كوكب بلوتو

القمر

كواكب ومواضيع اخرى

مواضيع عامة في علم الفلك

النجوم

البلازما

الألكترونيات

خواص المادة

الطاقة البديلة

الطاقة الشمسية

مواضيع عامة في الطاقة البديلة

المد والجزر

فيزياء الجسيمات

الفيزياء والعلوم الأخرى

الفيزياء الكيميائية

الفيزياء الرياضية

الفيزياء الهندسية

الفيزياء الحيوية

الحاسوبية

الفيزياء الطبية

طرائق تدريس الفيزياء

الفيزياء العامة

مواضيع عامة في الفيزياء

تجارب فيزيائية

مصطلحات وتعاريف فيزيائية

وحدات القياس الفيزيائية

طرائف الفيزياء

مواضيع اخرى

مخفي الفيزياء

الترانزستور المتكامل Integrated transistor

المؤلف: الدكتور صبحي سعيد الراوي

المصدر: فيزياء الألكترونات

الجزء والصفحة: 618

11-10-2021

1518

الترانزستور المتكامل Integrated transistor

يصنع الترانزستور بنفس طريقة تصنيع الثنائي ويبين الشكل (1) الكيفية التي يتم بموجبها تصنيع الترانزستور على جزء من طبقة الاساس لبلورة احادية متكاملة. لهذا السبب فان الخطوات المتبعة في تصنيع الثنائي. ستكون هي نفسها هنا حتى عملية تغطية السطح للرقاقة كله باوكسيد السيلكون SiO₂ - أنظر الشكل (1أ)

الشكل (1): طريقة تصنع الترانزسور المتكاملة.

لتكوين الباعث نحفرشباكا في طبقة ال SiO₂ لكشف الجزيرة من نوع P - الشكل (1ب) – وتنشر ذرات خماسية التكافؤ في جزيرة P . بهذه العملية نكون قد كونا جزيرة صغيرة من نوع - n فوق جزيرة P - الشكل (1ج ). بعدها نوقف النشاط الكيمياوي للتركيب وذلك بنفخ الاوكسجين على سطح الرقاقة لتكوين اوكسيد السيلكون مرة اخرى — أنظر الشكل ( 1د ) .

يتم ترسيب المعدن عن طريق حفر فتحات في طبقة SiO₂ ، ليقوم بالتوصيل الكهربائي مع الباعث والقاعدة والجامع وبهذه الطريقة نكون قد حصلنا على الترانزستور المتكامل-الشكل(1 ج)..