Equilibrium Distribution of Electrons and Holes

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 121

20-5-2017

المزيد

Complete Ionization and Freeze-Out

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 129

18-5-2017

المزيد

Probability Function

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 128

18-5-2017

المزيد

Relevance of the Fermi Energy

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 144

18-5-2017

المزيد

Variation of EF with Doping Concentration and Temperature

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 142

18-5-2017

المزيد

Mathematical Derivation

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 139

18-5-2017

المزيد

Group III-V Semiconductors

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 119

18-5-2017

المزيد

Ionization Energy

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 117

18-5-2017

المزيد

Qualitative Description

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 115

18-5-2017

المزيد

Equilibrium Electron and Hole Concentrations

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 133

18-5-2017

المزيد

compensated Semiconductors

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 133

18-5-2017

المزيد

The Intrinsic Fermi-Level Position

المؤلف : Donald A. Neamen

المصدر : Semiconductor Physics and Devices

الجزء والصفحة : p 113

17-5-2017

المزيد