Transconductance

Recall the discussion of dynamic current amplification from the last chapter. This is a measure of how well a bipolar transistor amplifies a signal. The JFET analog of this is called dynamic mutual conductance or transconductance.
Refer again to Fig. 1. Suppose that E_G is a certain value, with a corresponding I_D resulting. If the gate voltage changes by a small amount dE_G then the drain current will also change by a certain increment dI_D. The transconductance is the ratio dI_D/dE_G. Geometrically, this translates to the slope of a line tangent to the curve of Fig. 1.
The value of dI_D/dE_G is obviously not the same everywhere along the curve. When the JFET is biased beyond pinchoff, in the region marked Y in the figure, the slope of the curve is zero. There is no drain current, even if the gate voltage changes. Only when the channel is conducting will there be a change in I_D when there is a change in E_G. The region where the transconductance, dI_D/dE_G, is the greatest is the region marked X, where the slope of the curve is steepest. This is where the most gain can be obtained from the JFET.

Fig. 1: Relative drain current as a function of gate voltage for a hypothetical N-channel JFET

مواضيع ذات صلة

الحساسات النانوية لرصد وتعقب حرائق الغابات

التكامل بين تكنولوجيا النانو وتكنولوجيا الاستشعار من بعد لرصد تلوث الهواء الجوي

الحساسات النانوية للحالة الصلبة

الحساسات النانوية لرصد ملوثات الهواء

تكنولوجيا النانو وصناعة الحساسات

الحساسات النانوية

تقنية النانو في الطباعة على الأسطح Nano–Lithography

تقنية الطباعة على الأسطح Lithography

التنافس العالمي في إنتاج الحاسبات المعتمدة على تكنولوجيا النانو

قانون مور

تركيب الترانزستور وكيفية عمله

ماهية الترانزستورات