المرجع الالكتروني للمعلوماتية
المرجع الألكتروني للمعلوماتية

علم الفيزياء
عدد المواضيع في هذا القسم 11580 موضوعاً
الفيزياء الكلاسيكية
الفيزياء الحديثة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء

Untitled Document
أبحث عن شيء أخر المرجع الالكتروني للمعلوماتية
القيمة الغذائية للثوم Garlic
2024-11-20
العيوب الفسيولوجية التي تصيب الثوم
2024-11-20
التربة المناسبة لزراعة الثوم
2024-11-20
البنجر (الشوندر) Garden Beet (من الزراعة الى الحصاد)
2024-11-20
الصحافة العسكرية ووظائفها
2024-11-19
الصحافة العسكرية
2024-11-19

عَامٌ فِيهِ يُغَاثُ النَّاسُ وَفِيهِ يَعْصِرُونَ
9-10-2014
الاعتناء بالكاميرا
21-12-2021
تاريخ علم أمراض النبات
2024-02-27
وفاة المعتصم
22-9-2017
لكأني أنظر إليه والى منزله في الجنة
11-7-2017
Invitation
14-6-2021

Transconductance  
  
2002   12:39 صباحاً   date: 12-5-2021
Author : Stan Gibilisco
Book or Source : Teach Yourself Electricity and Electronics
Page and Part : 422


Read More
Date: 3-5-2021 1760
Date: 13-4-2021 2661
Date: 9-4-2021 1742

Transconductance

Recall the discussion of dynamic current amplification from the last chapter. This is a measure of how well a bipolar transistor amplifies a signal. The JFET analog of this is called dynamic mutual conductance or transconductance.
Refer again to Fig. 1. Suppose that EG is a certain value, with a corresponding Iresulting. If the gate voltage changes by a small amount dEG then the drain current will also change by a certain increment dID. The transconductance is the ratio dID/dEG. Geometrically, this translates to the slope of a line tangent to the curve of Fig. 1.
The value of dID/dEG is obviously not the same everywhere along the curve. When the JFET is biased beyond pinchoff, in the region marked Y in the figure, the slope of the curve is zero. There is no drain current, even if the gate voltage changes. Only when the channel is conducting will there be a change in ID when there is a change in EG. The region where the transconductance, dID/dEG, is the greatest is the region marked X, where the slope of the curve is steepest. This is where the most gain can be obtained from the JFET.

Fig. 1: Relative drain current as a function of gate voltage for a hypothetical N-channel JFET




هو مجموعة نظريات فيزيائية ظهرت في القرن العشرين، الهدف منها تفسير عدة ظواهر تختص بالجسيمات والذرة ، وقد قامت هذه النظريات بدمج الخاصية الموجية بالخاصية الجسيمية، مكونة ما يعرف بازدواجية الموجة والجسيم. ونظرا لأهميّة الكم في بناء ميكانيكا الكم ، يعود سبب تسميتها ، وهو ما يعرف بأنه مصطلح فيزيائي ، استخدم لوصف الكمية الأصغر من الطاقة التي يمكن أن يتم تبادلها فيما بين الجسيمات.



جاءت تسمية كلمة ليزر LASER من الأحرف الأولى لفكرة عمل الليزر والمتمثلة في الجملة التالية: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation وتعني تضخيم الضوء Light Amplification بواسطة الانبعاث المحفز Stimulated Emission للإشعاع الكهرومغناطيسي.Radiation وقد تنبأ بوجود الليزر العالم البرت انشتاين في 1917 حيث وضع الأساس النظري لعملية الانبعاث المحفز .stimulated emission



الفيزياء النووية هي أحد أقسام علم الفيزياء الذي يهتم بدراسة نواة الذرة التي تحوي البروتونات والنيوترونات والترابط فيما بينهما, بالإضافة إلى تفسير وتصنيف خصائص النواة.يظن الكثير أن الفيزياء النووية ظهرت مع بداية الفيزياء الحديثة ولكن في الحقيقة أنها ظهرت منذ اكتشاف الذرة و لكنها بدأت تتضح أكثر مع بداية ظهور عصر الفيزياء الحديثة. أصبحت الفيزياء النووية في هذه الأيام ضرورة من ضروريات العالم المتطور.