يبين الشكل (48) الدارة المكافئة المبسطة للترانزستور IGBT ورمزه، وتبين الدارة المكافئة أن الترانزستور يتكون من نوعين من الترانزستورات، الأول يمثل مدخل المفتاح، وهو عبارة عن ترانزستور نوع MOSFET، والآخر ترانزستور الخرج، وهو عبارة عن ترانزستور BJT، وله ثلاثة أطراف هما المجمع (Collector) والباعث (Emitter) والبوابة (Gate).

يتكون IGBT من أربع طبقات P-N-P-N وهو يحاكي الثايرستور ولكن مع اختلاف أنه يبقى على دور البوابة في التحكم بتوصيل المفتاح، بينما في الثايرستور تفقد البوابة دورها عند التوصيل، وتكون البوابة معزولة كهربائياً عن باقي أجزاء الترانزستور؛ مما يجعل مقاومة الدخل للترانزستور عالية.

شكل (48)

مواضيع ذات صلة

الحساسات النانوية لرصد وتعقب حرائق الغابات

التكامل بين تكنولوجيا النانو وتكنولوجيا الاستشعار من بعد لرصد تلوث الهواء الجوي

الحساسات النانوية للحالة الصلبة

الحساسات النانوية لرصد ملوثات الهواء

تكنولوجيا النانو وصناعة الحساسات

الحساسات النانوية

تقنية النانو في الطباعة على الأسطح Nano–Lithography

تقنية الطباعة على الأسطح Lithography

التنافس العالمي في إنتاج الحاسبات المعتمدة على تكنولوجيا النانو

قانون مور

تركيب الترانزستور وكيفية عمله

ماهية الترانزستورات