x

هدف البحث

بحث في العناوين

بحث في المحتوى

بحث في اسماء الكتب

بحث في اسماء المؤلفين

اختر القسم

القرآن الكريم
الفقه واصوله
العقائد الاسلامية
سيرة الرسول وآله
علم الرجال والحديث
الأخلاق والأدعية
اللغة العربية وعلومها
الأدب العربي
الأسرة والمجتمع
التاريخ
الجغرافية
الادارة والاقتصاد
القانون
الزراعة
علم الفيزياء
علم الكيمياء
علم الأحياء
الرياضيات
الهندسة المدنية
الأعلام
اللغة الأنكليزية

موافق

تاريخ الفيزياء

علماء الفيزياء

الفيزياء الكلاسيكية

الميكانيك

الديناميكا الحرارية

الكهربائية والمغناطيسية

الكهربائية

المغناطيسية

الكهرومغناطيسية

علم البصريات

تاريخ علم البصريات

الضوء

مواضيع عامة في علم البصريات

الصوت

الفيزياء الحديثة

النظرية النسبية

النظرية النسبية الخاصة

النظرية النسبية العامة

مواضيع عامة في النظرية النسبية

ميكانيكا الكم

الفيزياء الذرية

الفيزياء الجزيئية

الفيزياء النووية

مواضيع عامة في الفيزياء النووية

النشاط الاشعاعي

فيزياء الحالة الصلبة

الموصلات

أشباه الموصلات

العوازل

مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة

فيزياء الجوامد

الليزر

أنواع الليزر

بعض تطبيقات الليزر

مواضيع عامة في الليزر

علم الفلك

تاريخ وعلماء علم الفلك

الثقوب السوداء

المجموعة الشمسية

الشمس

كوكب عطارد

كوكب الزهرة

كوكب الأرض

كوكب المريخ

كوكب المشتري

كوكب زحل

كوكب أورانوس

كوكب نبتون

كوكب بلوتو

القمر

كواكب ومواضيع اخرى

مواضيع عامة في علم الفلك

النجوم

البلازما

الألكترونيات

خواص المادة

الطاقة البديلة

الطاقة الشمسية

مواضيع عامة في الطاقة البديلة

المد والجزر

فيزياء الجسيمات

الفيزياء والعلوم الأخرى

الفيزياء الكيميائية

الفيزياء الرياضية

الفيزياء الهندسية

الفيزياء الحيوية

الحاسوبية

الفيزياء الطبية

طرائق تدريس الفيزياء

الفيزياء العامة

مواضيع عامة في الفيزياء

تجارب فيزيائية

مصطلحات وتعاريف فيزيائية

وحدات القياس الفيزيائية

طرائف الفيزياء

مواضيع اخرى

مخفي الفيزياء

JFET biasing

المؤلف:  Stan Gibilisco

المصدر:  Teach Yourself Electricity and Electronics

الجزء والصفحة:  419

12-5-2021

1907

JFET biasing

Two biasing arrangements for an N-channel JFET are shown in Fig. 1. These hookups are similar to the way an NPN bipolar transistor is connected, except that the source-gate (SG) junction is not forward-biased.
At A, the gate is grounded through resistor R2. The source resistor, R1, limits the current through the JFET. The drain current, ID, flows through R3, producing a voltage across this resistor. The ac output signal passes through C2.
At B, the gate is connected to a voltage that is negative with respect to ground through potentiometer R2. Adjusting this potentiometer results in a variable negative EG between R2 and R3. Resistor R1 limits the current through the JFET. The drain current, ID, flows through R4, producing a voltage across it; the ac output signal passes through C2.
In both of these circuits, the drain is positive relative to ground. For a P-channel JFET, reverse the polarities in Fig. 1. The connections are somewhat similar to the way a PNP bipolar transistor is used, except the SG junction isn’t forward-biased.

Fig. 1: Two methods of biasing an N-channel JFET. At A, fixed gate bias; at B, variable gate bias.

Typical JFET power-supply voltages are comparable to those with bipolar transistors. The voltage between the source and drain, abbreviated ED, can range from about 3 V to 150 V; most often it is 6 V to 12 V.
The biasing arrangement in Fig. 1A is commonly used for weak-signal amplifiers, low-level amplifiers and oscillators. The scheme at B is more often employed in power amplifiers having a substantial input signal.

 شعار المرجع الالكتروني للمعلوماتية




البريد الألكتروني :
info@almerja.com
الدعم الفني :
9647733339172+